RM10TA-H Diode Module Tháo Máy

Giới thiệu RM10TA-H Diode Module Tháo Máy

Công Dụng : RM10TA-H Diode Module Tháo Máy
- IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán
dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F.Wheatley vào năm 1982.
- IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường.
- Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.
- Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với
collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector
(tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET.
- Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.
- Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành,
giống như ở cấu trúc MOSFET.
- Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và
collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.
+ Linh Kiện Hàn Cắt :
- Đảm bảo hàng độc giá tốt nhất toàn thị trường
- Đảm bảo sảm phẩm giống hình
Thông Tin Hỗ Trợ
- Mua số lượng lớn : 0388.651.356
- Địa chỉ : Số 686-688 Đường Long Hưng Tổ 3 Phường Hoàng Diệu TP Thái Bình hoặc
- Truy Cập WEBSITE : linhkienhancat.com
Giá MXNt